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Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs - basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)
Veröffentlicht am Dienstag, dem 09. Februar 2016 von Bayern-247.de
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PR-Gateway: Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM
SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 - Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen (High Performance Computing), fortschrittliche Grafik- und Netzwerksysteme sowie für Enterprise Server. Samsungs neue HBM-Lösung ist über sieben Mal schneller als aktuelle DRAMs und bietet damit eine noch nie dagewesene Leistungsfähigkeit. Dies ermöglicht eine schnellere Reaktionsfähigkeit bei Rechenaufgaben aus dem Bereich High-End-Computing, zum Beispiel Parallelverarbeitung, Grafik-Rendering und maschinelles Lernen.
"Durch die Massenproduktion von HBM2 DRAM der nächsten Generation können wir einen wesentlich größeren Beitrag zur raschen Akzeptanz kommender HPC-Systeme durch weltweit aktive IT-Unternehmen leisten", sagt Sewon Chun, Senior Vice President, Memory Marketing, Samsung Electronics. "Indem wir unsere 3D Speichertechnologie nutzen, können wir den vielseitigen Anforderungen globaler IT-Unternehmen weitaus proaktiver als bisher gerecht werden und zugleich die Basis für künftiges Wachstum des DRAM-Marktes stärken."
Das neu in den Markt eingeführte 4GB HBM2 DRAM nutzt Samsungs effizienteste 20-Nanometer-Prozesstechnologie und basiert auf einem innovativen HBM-Chipdesign. Es deckt den Bedarf an Speichern mit hoher Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz und bietet zudem eine hohe Zuverlässigkeit. Aufgrund seiner kleinen Abmessungen eignet sich das 4GB HBM2 DRAM speziell für HPC-Systeme und Grafikkarten der nächsten Generation.
Auf die Markteinführung von Samsungs 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) im Oktober 2015 folgend, kennzeichnet das neue HBM2 DRAM den jüngsten Meilenstein in der TSV-Technologie (Through Silicon Via).
Das 4GB HBM2 Package entsteht, indem man auf einen Puffer-Die vier 8-gigabit (Gb) Core-Dies stapelt. Diese werden dann vertikal über TSV-Löcher und Microbumps miteinander verbunden. Ein 8Gb HBM2 Die enthält über 5.000 TSV-Löcher. Dies sind über 36 Mal so viele wie bei einem 8Gb TSV DDR4 Die. Gegenüber typischen Wire Bonding Packages lässt sich so eine wesentlich höhere Datenübertragungsrate erzielen.
Samsungs neues DRAM Package bietet mit 256GBps die doppelte Bandbreite von HBM1 DRAM Packages. Dies ist mehr als die siebenfache Bandbreite von 4Gb GDDR5 DRAM Chips (36GBps), die von allen derzeit produzierten DRAM-Chips die höchste Datenübertragungsgeschwindigkeit pro Pin (9Gbps) aufweisen. Samsungs 4GB HBM2 ermöglicht auch eine erhöhte Leistungseffizienz, indem gegenüber einer 4Gb-GDDR5-basierten Lösung die Bandbreite pro Watt verdoppelt wird. Eine interne ECC-Funktion (Error-Correcting Code) sorgt für hohe Zuverlässigkeit.
Darüber hinaus plant Samsung die Produktion eines 8GB HBM2 DRAM Packages noch in diesem Jahr. Beim Einsatz von 8GB HBM2 DRAM in Grafikkarten können Entwickler gegenüber GDDR5 DRAM von einer Platzersparnis von über 95 Prozent profitieren und optimalere Lösungen für kompakte Geräte anbieten, die besonders hohe Grafikleistungen benötigen.
Das Unternehmen wird das Produktionsvolumen seiner HBM2 DRAMs im Verlauf des Jahres stetig steigern, um das erwartete Wachstum bei der Nachfrage für Netzwerksysteme und Server zu erfüllen. Samsung wird ferner sein Angebot an HBM2 DRAM-Lösungen ausdehnen, um auf dem Markt für Hochleistungs-Computing vorne zu bleiben und seine Führungsposition bei der Produktion von Premium-Memory auszubauen.
Für mehr Informationen zu dieser Presse-Information einschließlich Fotos und damit verbundene Fachbeiträge besuchen Sie bitte http://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-producing-worlds-fastest-dram-based-on-newest-high-bandwidth-memory-hbm-interface
Über Samsung Electronics
Samsung Electronics Co., Ltd. inspiriert Menschen und eröffnet ihnen auf der ganzen Welt neue Möglichkeiten. Mit Innovationen und dem Streben, immer wieder Neues zu entdecken, verändern wir die Welt von Fernsehern, Smartphones, Wearables, Tablets, Kameras, Druckern, Haushaltgeräten, LTE-Netzwerk-Systemen, Medizintechnik bis hin zu Halbleitern und LED-Lösungen. Unsere Initiativen, unter anderem in den Bereichen Digital Health und Smart Home, machen uns zudem zu einem Schrittmacher für das Internet der Dinge. Wir beschäftigen weltweit 319.000 Menschen in 84 Ländern. Der jährliche Umsatz des Unternehmens beträgt über US$196 Mrd. Entdecken Sie mehr auf www.samsung.com und unserem offiziellen Blog unter global.samsungtomorrow.com.
Über Samsung Semiconductor Europe
Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Ujeong Jahnke
Kölner Str. 12
65760 Eschborn
+49(0)6196-66-3300
+49(0)6196-66-23525
http://www.samsung.com/semiconductor/
Pressekontakt:
Nymphenburg Consulting GmbH
Kristina Fornell
Prinzregentenstr. 22
80538 München
k.fornell@ny-co.de
+49 89 120 21 26-93
http://www.ny-co.de/
(Weitere interessante CMS / Blog News, CMS / Blog Infos & CMS / Blog Tipps gibt es hier.)
Zitiert aus der Veröffentlichung des Autors >> PR-Gateway << auf http://www.freie-pressemitteilungen.de. Haftungsausschluss: Freie-PresseMitteilungen.de / dieses News-Portal distanzieren sich von dem Inhalt der News / Pressemitteilung und machen sich den Inhalt nicht zu eigen!
Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM
SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 - Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen (High Performance Computing), fortschrittliche Grafik- und Netzwerksysteme sowie für Enterprise Server. Samsungs neue HBM-Lösung ist über sieben Mal schneller als aktuelle DRAMs und bietet damit eine noch nie dagewesene Leistungsfähigkeit. Dies ermöglicht eine schnellere Reaktionsfähigkeit bei Rechenaufgaben aus dem Bereich High-End-Computing, zum Beispiel Parallelverarbeitung, Grafik-Rendering und maschinelles Lernen.
"Durch die Massenproduktion von HBM2 DRAM der nächsten Generation können wir einen wesentlich größeren Beitrag zur raschen Akzeptanz kommender HPC-Systeme durch weltweit aktive IT-Unternehmen leisten", sagt Sewon Chun, Senior Vice President, Memory Marketing, Samsung Electronics. "Indem wir unsere 3D Speichertechnologie nutzen, können wir den vielseitigen Anforderungen globaler IT-Unternehmen weitaus proaktiver als bisher gerecht werden und zugleich die Basis für künftiges Wachstum des DRAM-Marktes stärken."
Das neu in den Markt eingeführte 4GB HBM2 DRAM nutzt Samsungs effizienteste 20-Nanometer-Prozesstechnologie und basiert auf einem innovativen HBM-Chipdesign. Es deckt den Bedarf an Speichern mit hoher Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz und bietet zudem eine hohe Zuverlässigkeit. Aufgrund seiner kleinen Abmessungen eignet sich das 4GB HBM2 DRAM speziell für HPC-Systeme und Grafikkarten der nächsten Generation.
Auf die Markteinführung von Samsungs 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) im Oktober 2015 folgend, kennzeichnet das neue HBM2 DRAM den jüngsten Meilenstein in der TSV-Technologie (Through Silicon Via).
Das 4GB HBM2 Package entsteht, indem man auf einen Puffer-Die vier 8-gigabit (Gb) Core-Dies stapelt. Diese werden dann vertikal über TSV-Löcher und Microbumps miteinander verbunden. Ein 8Gb HBM2 Die enthält über 5.000 TSV-Löcher. Dies sind über 36 Mal so viele wie bei einem 8Gb TSV DDR4 Die. Gegenüber typischen Wire Bonding Packages lässt sich so eine wesentlich höhere Datenübertragungsrate erzielen.
Samsungs neues DRAM Package bietet mit 256GBps die doppelte Bandbreite von HBM1 DRAM Packages. Dies ist mehr als die siebenfache Bandbreite von 4Gb GDDR5 DRAM Chips (36GBps), die von allen derzeit produzierten DRAM-Chips die höchste Datenübertragungsgeschwindigkeit pro Pin (9Gbps) aufweisen. Samsungs 4GB HBM2 ermöglicht auch eine erhöhte Leistungseffizienz, indem gegenüber einer 4Gb-GDDR5-basierten Lösung die Bandbreite pro Watt verdoppelt wird. Eine interne ECC-Funktion (Error-Correcting Code) sorgt für hohe Zuverlässigkeit.
Darüber hinaus plant Samsung die Produktion eines 8GB HBM2 DRAM Packages noch in diesem Jahr. Beim Einsatz von 8GB HBM2 DRAM in Grafikkarten können Entwickler gegenüber GDDR5 DRAM von einer Platzersparnis von über 95 Prozent profitieren und optimalere Lösungen für kompakte Geräte anbieten, die besonders hohe Grafikleistungen benötigen.
Das Unternehmen wird das Produktionsvolumen seiner HBM2 DRAMs im Verlauf des Jahres stetig steigern, um das erwartete Wachstum bei der Nachfrage für Netzwerksysteme und Server zu erfüllen. Samsung wird ferner sein Angebot an HBM2 DRAM-Lösungen ausdehnen, um auf dem Markt für Hochleistungs-Computing vorne zu bleiben und seine Führungsposition bei der Produktion von Premium-Memory auszubauen.
Für mehr Informationen zu dieser Presse-Information einschließlich Fotos und damit verbundene Fachbeiträge besuchen Sie bitte http://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-producing-worlds-fastest-dram-based-on-newest-high-bandwidth-memory-hbm-interface
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Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.
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Für die Inhalte dieser Veröffentlichung ist nicht Bayern-247.de als News-Portal sondern ausschließlich der Autor (PR-Gateway) verantwortlich (siehe AGB). Haftungsausschluss: Bayern-247.de distanziert sich von dem Inhalt dieser Veröffentlichung (News / Pressemitteilung inklusive etwaiger Bilder) und macht sich diesen demzufolge auch nicht zu Eigen! |
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